50 mT静磁场试验装置的研制和性能验证
作者:王中 赵文晖 郑拓
发布日期:2024-12-10 10:49
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王中 赵文晖 郑拓
上海市计量测试技术研究院
摘 要:为了满足有源植入式医疗器械标准中静磁场试验要求,研制了一款静磁场抗扰度试验装置。在输入电流约 4.75 A 条件下,该装置的磁通密度可以达到 50 mT,且试验均匀域的磁通密度均匀性偏差达到 2.8%。在 0.055 ~ 50 mT 范围内,磁通密度的线性度达到了0.6%。该装置还可以实现对电压、电流、 时间、温度以及电磁场曝露等参数进行有效地监控。该研究为有源植入式医疗器械的静磁场抗扰度试验提供了理论和技术支撑。
关键词:有源植入式医疗器械 ;静磁场抗扰度 ;50 mT